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电子元器件详细资料 » IC[27094] » SI3911DV-T1-E3
型号:SI3911DV-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 1.58A 6TSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 20V 1.58A 6TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C145 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装Digi-Reel®

供应商

锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI3911DV-T1-E3相关型号

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